Samsung po prodhon në masë DRAM-in më të vogël DDR5 të industrisë, njoftoi kompania të martën.
DRAM i ri EUV DDR5 14 nm është vetëm 14 nanometra dhe ka pesë shtresa të teknologjisë ekstreme ultraviolet (EUV). Mund të arrijë shpejtësi deri në 7.2 gigabit për sekondë, që është më shumë se dyfishi i shpejtësisë së DDR4. Samsung pretendon gjithashtu se teknologjia e saj e re EUV i jep DDR5 DRAM densitetin më të lartë të bitit, ndërkohë që rrit produktivitetin me 20% dhe redukton konsumin e energjisë me 20%.
EUV po bëhet gjithnjë e më e rëndësishme ndërsa DRAM vazhdon të zvogëlohet në madhësi. Ndihmon në përmirësimin e saktësisë së modelimit, e cila është e nevojshme për performancë më të lartë dhe rendimente më të mëdha, tha Samsung. Miniaturizimi ekstrem i DDR5 DRAM 14 nm nuk ishte i mundur përpara përdorimit të metodës konvencionale të prodhimit të fluorit argon (ArF) dhe kompania shpreson se teknologjia e saj e re do të ndihmojë në adresimin e nevojës për performancë dhe kapacitet më të madh në fusha si 5G dhe inteligjenca artificiale.
Duke shkuar përpara, Samsung tha se dëshiron të krijojë një çip DRAM 24 Gb 14nm për të ndihmuar në përmbushjen e kërkesave të sistemeve globale të IT. Ai gjithashtu planifikon të zgjerojë portofolin e tij 14 nm DDR5 për të mbështetur qendrat e të dhënave, superkompjuterët dhe aplikacionet e serverëve të ndërmarrjeve.
